3月20日中午，有媒體報(bào)道稱(chēng)，今年底，長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶圓產(chǎn)能將從目前每月約2萬(wàn)片(64層)，提升至5萬(wàn)-10萬(wàn)片;與此同時(shí)，其128層晶圓將于年底取得突破。

隨后，觀察者網(wǎng)向長(zhǎng)江存儲(chǔ)方面求證，對(duì)方就上述事項(xiàng)回應(yīng)：此前已披露產(chǎn)能計(jì)劃，上述消息并非最新。另外，128層晶圓的具體量產(chǎn)時(shí)間目前未對(duì)外公布。

事實(shí)上，觀察者網(wǎng)早在1月15日就已報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)副董事長(zhǎng)楊道虹表示，將盡早達(dá)成64層三維閃存產(chǎn)品月產(chǎn)能10萬(wàn)片，并按期(二期)建成30萬(wàn)片/月產(chǎn)能，提升國(guó)家存儲(chǔ)器基地的規(guī)模效應(yīng)。

楊道虹指出，國(guó)家存儲(chǔ)器基地近年來(lái)堅(jiān)持研究布局新型存儲(chǔ)器、特種存儲(chǔ)器、物聯(lián)網(wǎng)芯片(5G芯片)以及智能芯片產(chǎn)品的研發(fā)，增強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)力。此外，還聯(lián)合國(guó)內(nèi)70余家集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)和科研院所，牽頭組建半導(dǎo)體三維集成制造創(chuàng)新中心，成立中國(guó)半導(dǎo)體三維集成制造產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟。

2019年第四季度全球NAND閃存市場(chǎng)營(yíng)收數(shù)據(jù) 三星、鎧俠、美光、海力士等國(guó)外廠商占據(jù)份額超99%

2017年1月，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目在武漢開(kāi)工，總投資1600億。該項(xiàng)目由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)為項(xiàng)目實(shí)施主體。

同一年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎(chǔ)上，通過(guò)自主研發(fā)和國(guó)際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計(jì)并制造了中國(guó)首批3D NAND閃存芯片。

2019年9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布，其已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存)，以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求，這也是中國(guó)首款64層3D NAND閃存。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官程衛(wèi)華當(dāng)時(shí)表示：“通過(guò)將Xtacking?架構(gòu)引入批量生產(chǎn)，能夠顯著提升產(chǎn)品性能，縮短開(kāi)發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期，從而推動(dòng)高速大容量存儲(chǔ)解決方案市場(chǎng)的快速發(fā)展。”

長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年7月，是我國(guó)核心半導(dǎo)體制造企業(yè)紫光集團(tuán)旗下公司，也是中國(guó)高端芯片聯(lián)盟發(fā)起單位之一，主要業(yè)務(wù)為3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造等。

關(guān)鍵詞： 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 晶圓 產(chǎn)能