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美光宣布加速DDR5內(nèi)存在下一代計(jì)算平臺(tái)中的使用

發(fā)布時(shí)間:2020-07-16 11:04:02  |  來(lái)源:快科技  

美光宣布,繼今年1月份率先出貨驗(yàn)證產(chǎn)品后,他們將和行業(yè)伙伴一道,加速DDR5內(nèi)存在下一代計(jì)算平臺(tái)中的使用。

此次涉及的合作伙伴包括Cadence、Rambus、Synopsys等等等,其中與Cadence合作驗(yàn)證了15款以上IP。

,插滿8通道DDR5-4800內(nèi)存,每核心可分配的內(nèi)存帶寬多達(dá)4.8GB/s。

美光認(rèn)為,DDR5內(nèi)存容量密度和速率上的優(yōu)勢(shì),對(duì)于數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)景應(yīng)用將大有裨益。以64核平臺(tái)為例(Zen3 Milan?)

另外值得一提的是,今日(7月15日),JEDEC固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了DDR5 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)(JESD79-5)。簡(jiǎn)言之,DDR5內(nèi)存芯片Bank數(shù)量翻番到32,每Bank的自刷新速度翻番到16Gbps。VDD電壓從DDR4的1.2V降至1.1V,也就是減少功耗。

按照J(rèn)EDEC的說(shuō)法,DDR5內(nèi)存的引腳帶寬(頻率)是DDR4的兩倍,首發(fā)將以4.8Gbps(4800MHz)起跳,比末代DDR4的標(biāo)準(zhǔn)頻率3200MHz增加了50%之多,總傳輸帶寬提升了38%,未來(lái)將最高摸到8400MHz左右。

關(guān)鍵詞: 美光加速DDR5內(nèi)存

 

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