2月18日消息 固態(tài)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì) JEDEC 今日發(fā)布了 DDR4 NVDIMM-P 非易失內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)名稱為 JESD304-4.01，為制造商規(guī)定了斷電后數(shù)據(jù)依舊能夠保存的 NVDIMM 內(nèi)存制造標(biāo)準(zhǔn)。

隨著 DRAM 內(nèi)存容量和頻率的持續(xù)增長(zhǎng)，現(xiàn)有電腦內(nèi)存的安全性也一直沒(méi)有得到提升。NVDIMM-P 內(nèi)存能夠在意外斷電時(shí)保留原有數(shù)據(jù)，與英特爾傲騰內(nèi)存芯片比較類似。

根據(jù)描述，這種規(guī)范將兼容普通的 DIMM 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)以及固件，最大程度減少對(duì)于現(xiàn)有設(shè)備的更改，同時(shí)為新內(nèi)存提供了低延遲接口，提高了易用性。

NVDIMM-P 的新功能：

持久性：操作系統(tǒng)能夠低延遲、高帶寬訪問(wèn)非易失內(nèi)存。

虛擬化的內(nèi)存：在 DDR 通道啟用盡可能多的內(nèi)存容量。

大容量：支持?jǐn)U展的內(nèi)存尋址功能。

支持即插即用：在電腦開(kāi)機(jī)時(shí)可以直接插入標(biāo)準(zhǔn)的雙列內(nèi)存插槽，并立刻與同一總線上的 DDR 內(nèi)存交互操作。

主要特征：

與現(xiàn)有 DDR 通道完全兼容，包括物理接口、電氣性能、協(xié)議、時(shí)鐘。

保證為下一代 CPU 插槽增加的針腳盡可能少。

協(xié)議支持?jǐn)?shù)據(jù)讀取時(shí)的不確定延遲

確保數(shù)據(jù)在非易失內(nèi)存中的事務(wù)性操作

從 NAND 到 DRAM 多種延遲模式的支持(在模塊級(jí)別)

內(nèi)存本身具備高可靠性、鏈路錯(cuò)誤保護(hù)功能

IT之家了解到，NVDIMM 非易失內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)此前公布了 NVDIMM-N 形態(tài)。此種內(nèi)存將 NAND 閃存集成到了內(nèi)存條，并使用外接電源供電，這樣意外斷電時(shí)數(shù)據(jù)將寫(xiě)入到內(nèi)存條本身的 NAND 存儲(chǔ)中;NVDIMM-F 本質(zhì)上是一款固態(tài)硬盤(pán)，但延遲更低帶寬更高。新版 NVDIMM-P 預(yù)計(jì)將是兩種方式的混合，兼容性更佳。

關(guān)鍵詞： 內(nèi)存