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PNY官宣DDR5新品內(nèi)存條 兼容測(cè)試將于第三季度啟動(dòng)更具超頻潛力

發(fā)布時(shí)間:2021-08-19 09:55:03  |  來(lái)源:IT之家  

根據(jù) VideoCardz 消息,存儲(chǔ)廠商 PNY 正式官宣了該品牌的 DDR5 系列內(nèi)存條,包含普通版本以及 XLR8 Gaming 系列。

海報(bào)中可以看出,這款產(chǎn)品采用深紫色的 PCB,配備供電電路,首批內(nèi)存條頻率為 4800MHz。

PNY 此款 DDR5 內(nèi)存相比 DDR4 存儲(chǔ)密度更高,速度更快,為了英特爾第 12 代酷睿準(zhǔn)備。

這款內(nèi)存供電電壓為 1.1V,功耗更低;內(nèi)存顆粒支持片上 ECC 糾錯(cuò),無(wú)需單獨(dú)的 ECC 芯片,使得該技術(shù)能夠下放至個(gè)人電腦。

官方表示,片上 DC-DC 供電電路可以實(shí)現(xiàn)更加穩(wěn)定的供電電壓,更少的噪聲,同時(shí)超頻潛力更大。

PNY 營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)表示,在推出普通版本 DDR5 內(nèi)存條的同時(shí),還將推出 XLR8 Gaming 系列內(nèi)存,面向游戲玩家、內(nèi)容創(chuàng)作者等群體。后者將具備 RGB 燈光,以及更高的頻率。

IT之家了解到,PNY XLR8 Gaming 系列 DDR5 內(nèi)存將于 2021 年第三季度開(kāi)始與主板廠商合作,進(jìn)行兼容測(cè)試。產(chǎn)品有望于第四季度正式發(fā)售。

關(guān)鍵詞: PNY DDR5 內(nèi)存條

 

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