今年早些時候，有消息稱 AMD 將推 RAMP 內(nèi)存超頻技術(shù)，以應對英特爾的 XMP 3.0 方案。

據(jù) VideoCardz 最新消息，AMD 這項技術(shù)的正式名稱為EXPO (EXTended Profiles for Overclocking)，即用于超頻的擴展配置文件。

據(jù)報道，AMD 的 EXPO 技術(shù)將為 DDR5 內(nèi)存提供兩個內(nèi)存超頻配置文件。第一個配置文件將針對高帶寬使用進行優(yōu)化，而后者將針對低延遲進行優(yōu)化。

EXPO 將適用于所有類型的 DDR5 內(nèi)存，包括 UDIMM、RDIMM 和 SO-DIMM，這意味著未來的銳龍筆記本也有可能會支持這項技術(shù)。

IT之家曾報道，本周 AMD 和三星舉行了一次網(wǎng)絡(luò)研討會，討論新款 DDR5 和 LPDDR5X 內(nèi)存。

AMD 內(nèi)存專家 Joseph Tao 也提到了銳龍 7000 將會有不錯的內(nèi)存超頻支持。

在本次會議的 PPT 上，AMD 和三星提到了 DDR5-6400 與 LPDDR5X-8500 內(nèi)存規(guī)格，這可能是 AMD 新一代桌面和移動處理器支持的規(guī)格。

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