至今擁有37年板卡經(jīng)驗的的梅捷，其600系主板最大的亮點是，從入門級的H610開始，均在供電上采用了DR.MOS!

DR.MOS技術早期屬于服務器主板先進技術，三合一封裝的DR.MOS面積是分離MOSFET的1/4，功率密度是分離MOSFET的3倍，增加了超電壓和超頻的潛力。

應用DR.MOS的主板能擁有節(jié)能、高效能超頻、低溫等特色。而目前，更多是只有中端或以上的主板才會在供電部分使用到這樣DR.MOS。

經(jīng)典B660M主板為230*205mm的MATX版型，整體外觀設計采用波點矩陣和斜紋切割組合，為感覺沉穩(wěn)的梅捷主板注入了輕時尚元素。

供電部分同樣采用8+1相50ADR.MOS供電，外加1相VCC_AUX，共10相供電。

PWM方案采用RT3628AE，型號為SIC654的DR.MOS,單相最高支持50A供電電流，供電上方覆蓋合金散熱裝甲。

內(nèi)存方面，提供2根DDR4內(nèi)存插槽，頻率可以達到4200MHz，最大容量能夠達到64GB。

主板提供1條PCIex16 4.0顯卡插槽和1條PCIex1插槽和2個M.2插槽均為PCIe3.0通道，均支持nvme固態(tài)硬盤。

關鍵詞：