作為電腦必不可少的硬件，內(nèi)存的容量從來(lái)都是越大越好。

三星跟 AMD 的內(nèi)存專(zhuān)家舉辦了溝通會(huì)，探討了三星在 DDR5 內(nèi)存方面的發(fā)展，其中就談到了 DDR5 內(nèi)存容量的問(wèn)題。

跟此前的 DDR4 相比，DDR5 內(nèi)存將電壓降低到了 1.1V，頻率可達(dá)到 7200MHz 以上，bank 數(shù)量翻倍到 32 個(gè)，預(yù)取位數(shù)也翻倍到 16n。

三星計(jì)劃在 2023 年將內(nèi)存核心容量提高到 32Gb，堆棧層數(shù)提高到 8H。

在 2024 年，三星計(jì)劃推出 1TB 單條 DDR5 內(nèi)存，該內(nèi)存將使用 32 個(gè) 8-Hi 32GB 堆棧，適配 2024 年-2025 年發(fā)布的服務(wù)器。

除了容量提升，三星還計(jì)劃進(jìn)一步提升 DDR5 內(nèi)存的速度。三星 PPT 顯示其將在 2025 年發(fā)布 DDR5-7200，預(yù)計(jì)其傳輸速率將達(dá)到 10,000+MT / s。

IT之家了解到，此前有消息稱(chēng)，三星正在開(kāi)發(fā) DDR6 內(nèi)存，該內(nèi)存將采用封裝，預(yù)計(jì)能夠?qū)崿F(xiàn)大約 12800Mbps 的傳輸速率。

對(duì)于 DDR6 內(nèi)存，單條達(dá)到 1TB 應(yīng)該較為輕松。不過(guò)現(xiàn)在看來(lái) ，三星可能在 DDR5 時(shí)代就實(shí)現(xiàn)單條 1TB 的設(shè)計(jì)。

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