據(jù)德媒 computerbase 消息，三星在 Samsung Foundry Forum 2022 活動(dòng)中介紹了其內(nèi)存路線圖。

如上圖所示，在即將到來(lái)的 2023 年，三星將進(jìn)入 1bnm 工藝階段，內(nèi)存芯片容量將達(dá)到 24Gb(3GB)- 32Gb(4GB)，原生速度將在 6.4-7.2Gbps。

顯存方面，新一代 GDDR7 顯存將在明年問(wèn)世，因此 AMD 和英偉達(dá)顯卡的新一代顯卡的中期改款就有可能會(huì)用上 GDDR7 顯存。

此外，三星還進(jìn)行了一些長(zhǎng)遠(yuǎn)的設(shè)想，如2026 年推出 DDR6 內(nèi)存，2027 年即實(shí)現(xiàn)原生 10Gbps 的速度。

三星也公布了其閃存的路線圖，預(yù)計(jì)將在 2024 年推出 V9 NAND 。

關(guān)鍵詞： 內(nèi)存路線圖