據(jù)德媒 computerbase 消息,三星在 Samsung Foundry Forum 2022 活動中介紹了其內(nèi)存路線圖。
如上圖所示,在即將到來的 2023 年,三星將進入 1bnm 工藝階段,內(nèi)存芯片容量將達到 24Gb(3GB)- 32Gb(4GB),原生速度將在 6.4-7.2Gbps。
顯存方面,新一代 GDDR7 顯存將在明年問世,因此 AMD 和英偉達顯卡的新一代顯卡的中期改款就有可能會用上 GDDR7 顯存。
此外,三星還進行了一些長遠的設(shè)想,如2026 年推出 DDR6 內(nèi)存,2027 年即實現(xiàn)原生 10Gbps 的速度。
三星也公布了其閃存的路線圖,預(yù)計將在 2024 年推出 V9 NAND 。
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