作價(jià) 90 億美元，Intel 又賣(mài)出了旗下的一個(gè)重要業(yè)務(wù)。
這個(gè)業(yè)務(wù)，就是 NAND 閃存。
這是繼 NVIDIA 宣布以 400 億美元收購(gòu) ARM 之后，全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一筆重大交易。
這筆交易中的買(mǎi)家，是韓國(guó)企業(yè) SK 海力士，而 SK 海力士本身也是 NAND 閃存領(lǐng)域的一個(gè)重要玩家——這意味著，在 NAND 閃存領(lǐng)域，韓國(guó)企業(yè)越來(lái)越強(qiáng)勢(shì)了。
那么，對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)來(lái)說(shuō)，這筆交易會(huì)產(chǎn)生什么影響?
這筆交易涉及到 Intel 中國(guó)大連工廠
北京時(shí)間 10 月 20 日， SK 海力士和 Intel 共同宣布了上述簽署協(xié)議。
根據(jù)協(xié)議約定，SK 海力士將以 90 億美元的價(jià)格，收購(gòu) Intel 的 NAND 閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)。本次收購(gòu)包括 Intel NAND SSD 業(yè)務(wù)、NAND 部件及晶圓業(yè)務(wù)——以及 Intel 在中國(guó)大連的 NAND 閃存制造工廠。
Intel 中國(guó)大連工廠由 Intel 在 2007 年 9 月投資建造，并在 2010 年正式投產(chǎn)，是 Intel 在亞洲的唯一的晶圓制造工廠。
2015 年，Intel 宣布投資 55 億美元將這個(gè)工廠升級(jí)為非易失性存儲(chǔ)技術(shù)制造基地，并于 2016 年 7 月正式投產(chǎn)。2017 年 5 月，Intel 還專(zhuān)門(mén)在其大連工廠發(fā)布了采用 3D NAND 技術(shù)的全新數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)——2018 年 9 月，Intel 當(dāng)時(shí)最先進(jìn)的 96 層 3D NAND 產(chǎn)品也在大連投產(chǎn)。
如今，伴隨著這筆收購(gòu)，Intel 在中國(guó)唯一的晶圓制造工廠也拱手讓給 SK 海力士。
值得一提的是，盡管出售 NAND 閃存業(yè)務(wù)，Intel 還將保留其特有的傲騰(Optane)業(yè)務(wù)。
根據(jù)雙方協(xié)議，SK 海力士與 Intel 將爭(zhēng)取在 2021 年底前取得所需的政府機(jī)關(guān)許可——包括來(lái)自美國(guó)、歐盟、中國(guó)、韓國(guó)等監(jiān)管機(jī)構(gòu)的許可。
協(xié)議表示，在獲取相關(guān)許可后，SK 海力士將通過(guò)支付第一期 70 億美元對(duì)價(jià)從 Intel 收購(gòu) NAND SSD 業(yè)務(wù)(包括 NAND SSD 相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)和員工)以及位于中國(guó)大連的工廠。
此后，預(yù)計(jì)在 2025 年 3 月份最終交割時(shí)，SK 海力士將支付 20 億美元余款從 Intel 收購(gòu)其余相關(guān)資產(chǎn)，包括 NAND 閃存晶圓的生產(chǎn)及設(shè)計(jì)相關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)、研發(fā)人員以及中國(guó)大連工廠的員工。
同時(shí)，根據(jù)協(xié)議，在交割過(guò)程中，Intel 將繼續(xù)在大連閃存制造工廠制造 NAND 晶圓，并保留制造和設(shè)計(jì) NAND 閃存晶圓相關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán) (IP)，直至最終交割日。
按照雙方說(shuō)法，通過(guò)這次收購(gòu)，SK 海力士旨在急速成長(zhǎng)的 NAND 閃存領(lǐng)域中提升包括企業(yè)級(jí) SSD 在內(nèi)的存儲(chǔ)解決方案相關(guān)競(jìng)爭(zhēng)力，進(jìn)一步躍升為行業(yè)領(lǐng)先的全球半導(dǎo)體企業(yè)之一。
Intel 為什么要賣(mài)?
Intel 出售其 NAND 閃存業(yè)務(wù)，并不令人感到意外。
自從 2019 年 2 月正式擔(dān)任 Intel CEO 以來(lái)，Bob Swan 就致力于推動(dòng) Intel 的業(yè)務(wù)調(diào)整和財(cái)務(wù)狀況好轉(zhuǎn)——值得一提的是，Bob Swan 此前擔(dān)任 Intel CFO，所以更善于從財(cái)務(wù)角度看待問(wèn)題。
實(shí)際上，Bob Swan 執(zhí)掌 Intel 兩年多來(lái)(包括擔(dān)任臨時(shí) Intel CEO 的時(shí)間)，他已經(jīng)在 Intel 調(diào)制解調(diào)器業(yè)務(wù)上展現(xiàn)了自己的執(zhí)掌思路。
據(jù) FastCompany 報(bào)道，2018 年底，在出售調(diào)制解調(diào)器業(yè)務(wù)之前，他曾非常質(zhì)疑為什么 Intel 不轉(zhuǎn)移注意力到其他更能賺錢(qián)的業(yè)務(wù)。隨后在 2019 年 4 月，蘋(píng)果宣布與高通達(dá)成和解之后，Intel 當(dāng)天就立即宣布退出 5G 調(diào)制解調(diào)器業(yè)務(wù)。
隨后在 2019 年 7 月，Intel 以 10 億美元的價(jià)格，將調(diào)制解調(diào)器業(yè)務(wù)的大部分出售給了蘋(píng)果。
顯然，2020 年，NAND 閃存業(yè)務(wù)成為了 Bob Swan 的 "刀下之魂"。
截止今年 6 月 27 日，Intel 的 NAND 業(yè)務(wù)在今年上半年為 Intel 非易失性存儲(chǔ)器解決方案事業(yè)部(Non-volatile Memory Solutions Group, NSG)創(chuàng)下了約 28 億美元的營(yíng)收，以及約 6 億美元的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)。
當(dāng)然，作為世界半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先者，Intel 也擁有業(yè)界領(lǐng)先的 NAND SSD 技術(shù)以及 4 階儲(chǔ)存單元(quadruple level cell，QLC)NAND 閃存產(chǎn)品線。
對(duì)于這次出售，Intel CEO Bob Swan 表示：
這次交易能讓我們更加專(zhuān)注于投資具有差異化特點(diǎn)的技術(shù)，從而令我們?cè)诳蛻?hù)的成功中扮演更重要的角色，并且為我們的投資者產(chǎn)出可觀的回報(bào)。
Intel 方面還表示，在出售業(yè)務(wù)之后，它計(jì)劃將本次交易獲得的資金用于開(kāi)發(fā)業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品和加強(qiáng)其具有長(zhǎng)期成長(zhǎng)潛力的業(yè)務(wù)重點(diǎn)，包括人工智能(AI)、5G 網(wǎng)絡(luò)與智能、自動(dòng)駕駛相關(guān)邊緣設(shè)備。
NAND 閃存領(lǐng)域生變：韓國(guó)占大頭，中國(guó)正趕上
Intel 和 SK 海力士的這筆交易，將對(duì)全球 NAND 領(lǐng)域產(chǎn)生重大影響。
根據(jù) TrendForce 集邦咨詢(xún)旗下半導(dǎo)體研究處發(fā)布的數(shù)據(jù)，2020 年第二季度，在全球 NAND Flash 產(chǎn)業(yè)：
排名第一的三星營(yíng)收占比為 31.4%;
第二名 Kioxia 營(yíng)收占比為 17.2%;
第三名西部數(shù)據(jù)營(yíng)收占比為 15.5%;
第四名 SK 海力士營(yíng)收占比為 11.7%;
第五名鎂光營(yíng)收占比為 11.5%;
第六名 Intel 營(yíng)收占比為 11.5%。
依照上述數(shù)據(jù)，如果 SK 海力士成功收購(gòu) Intel NAND 閃存業(yè)務(wù)，則它將擁有超過(guò)該領(lǐng)域 23% 的全球市場(chǎng)份額，一舉成為這一領(lǐng)域的全球第二。
——如此一來(lái)，SK 海力士和三星加起來(lái)，韓國(guó)企業(yè)將占據(jù)全球 NAND 領(lǐng)域營(yíng)收的半壁江山，份額超過(guò) 50%。
那么，中國(guó) NAND 領(lǐng)域發(fā)展如何呢?
目前來(lái)看，在 NAND 領(lǐng)域，中國(guó)的廠商還處于追趕階段，營(yíng)收排名還比較靠后，位于 Others 之列。
不過(guò)，在國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)企業(yè)中，位于武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在快速跟進(jìn)，并且已取得重大成功——可以說(shuō)是國(guó)產(chǎn) NAND 閃存一哥。
2020 年 4 月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布 128 層 QLC 3D NAND 閃存(X2-6070)研發(fā)成功，這是我國(guó)首款 128 層 3D NAND 閃存芯片，擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度(QLC，4 bit/cell)，最高 I/O 傳輸速度(1.6G/s)和最高單顆 NAND 閃存容量(1.33Tb)。
按照長(zhǎng)江存儲(chǔ)高級(jí)副總裁龔翊的說(shuō)法，此次產(chǎn)品發(fā)布，意味著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 3D NAND 閃存領(lǐng)域已經(jīng)基本追平國(guó)際先進(jìn)水平，在某些領(lǐng)域甚至有所領(lǐng)先。
值得一提的是，這次發(fā)布的產(chǎn)品即將走向量產(chǎn)，預(yù)計(jì)在 2021 年上市。
除了技術(shù)上的追趕，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也在不斷跟進(jìn)生產(chǎn)進(jìn)度;今年目標(biāo)是成都長(zhǎng)投產(chǎn)，并逐步完成武漢廠區(qū)剩余二座廠房的興建與擴(kuò)產(chǎn)。由此，調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦咨詢(xún)預(yù)計(jì)，2021 年長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)能預(yù)估占整體 NAND Flash 約 8%。
8% 的份額，雖然看起來(lái)不大，但也許是國(guó)產(chǎn) NAND 閃存的出頭機(jī)會(huì)。
當(dāng)然，要想與韓國(guó)、美國(guó)等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手抗衡甚至實(shí)現(xiàn)超越，以長(zhǎng)江存儲(chǔ)為代表的中國(guó)企業(yè)，還要有很長(zhǎng)的路要走。
但眼下，這條逆襲的道路，已經(jīng)看到曙光。
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