2020年7月中旬JEDEC固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)正式發(fā)布DDR5 SDRAM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范后，DDR5新技術(shù)應(yīng)用受到業(yè)內(nèi)的關(guān)注以及專業(yè)領(lǐng)域的探索。
江波龍電子今天正式發(fā)布Longsys DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品(ES1)。涉及兩款全新架構(gòu)產(chǎn)品原型，分別是1Rank x8和2Rank x8標(biāo)準(zhǔn)型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相較于DDR4，DDR5在功能和性能上都得到了顯著提升。
此外，部分測(cè)試數(shù)據(jù)首次面向公眾公開。其中，展示的測(cè)試實(shí)例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發(fā)板，搭配Longsys DDR5 32GB 6400內(nèi)存模組，并配置Windows 10 Pro x64操作系統(tǒng)，分別通過魯大師和AIDA64兩個(gè)熟知的軟件展示DDR5的真實(shí)數(shù)據(jù)。
1、魯大師測(cè)試數(shù)據(jù)
首先呈現(xiàn)的是硬件配置，內(nèi)存識(shí)別為L(zhǎng)ongsys ID。
通過魯大師測(cè)試，Longsys DDR5 32GB 6400的跑分高達(dá)19萬分有余。
2、AIDA64測(cè)試數(shù)據(jù)
通過測(cè)試，能夠獲取到Longsys DDR5 32GB 6400讀/寫/拷貝/延遲的性能跑分。
為了更加直觀地體現(xiàn)性能的提升力度，還加入了DDR4的測(cè)試對(duì)比。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，Longsys DDR5在性能上實(shí)現(xiàn)了跨越式提升。
核心指標(biāo)揭秘
糾錯(cuò)能力增加
在優(yōu)化DDR5 DRAM內(nèi)核運(yùn)算能力上，Longsys DDR5增加內(nèi)置糾錯(cuò)碼(ECC)，全面實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)糾錯(cuò)能力，進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)完整性，同時(shí)也緩解了系統(tǒng)錯(cuò)誤校正負(fù)擔(dān)并充分利用DRAM讀寫的高效機(jī)制。
增加16n的預(yù)取模式
BL16使得Longsys DDR5內(nèi)存的并發(fā)性在DDR4的基礎(chǔ)上提升了一倍，信號(hào)能夠更完整高效地傳遞。本次DDR5 DIMM新架構(gòu)采用了兩個(gè)完全獨(dú)立的32位通道，提高了并發(fā)性，并使系統(tǒng)中可用的內(nèi)存通道增加了一倍。
端到端的接收模式的強(qiáng)化
在DDR5新技術(shù)應(yīng)用中除了DQ/DQS/DM繼續(xù)采用ODT功能，增加CA、CS類信號(hào)也使用了ODT。因此，Longsys DDR5內(nèi)存進(jìn)一步減少了信號(hào)脈沖的反射干擾效應(yīng)，讓信號(hào)傳輸更加純凈。
DDR5 Bank Group 翻倍
DDR5內(nèi)存使Bank Group的數(shù)量增加了一倍，并且每個(gè)Group的Bank數(shù)量保持不變。Longsys DDR5 BG提供更少的訪問延遲，加倍提高了系統(tǒng)的整體效率，允許更多頁面同時(shí)被打開。
SAME-BANK Refresh刷新模式
Longsys DDR5根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)還實(shí)現(xiàn)了一個(gè)新特性，稱為SAME-BANK Refresh(同步刷新)。此命令允許刷新每個(gè)BG中的一個(gè)Bank，使所有其他Banks保持打開狀態(tài)以繼續(xù)正常操作。
未來的應(yīng)用場(chǎng)景不斷革新和進(jìn)步，對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)提出了更嚴(yán)苛的要求，亦大大加速了DDR5發(fā)展進(jìn)程，各大主流平臺(tái)對(duì)于DDR5的支持也推進(jìn)迅速。
據(jù)悉，Intel方面預(yù)計(jì)今年第三季度就有支持DDR5的平臺(tái)上市。而驅(qū)動(dòng)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)向DDR5升級(jí)的動(dòng)力來自對(duì)帶寬有強(qiáng)烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，比如服務(wù)器、云計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域均有望得到重點(diǎn)部署，此次迭代也為行業(yè)客戶提供了更出色的內(nèi)存解決方案。
截止2021年3月12日，Longsys申請(qǐng)專利總數(shù)達(dá)到838個(gè)，其中境外專利申請(qǐng)178項(xiàng);已授權(quán)且維持有效專利411項(xiàng)、其中境外授權(quán)且維持有效專利83項(xiàng);軟件著作權(quán)65項(xiàng)。
據(jù)悉，今年Longsys內(nèi)存產(chǎn)品線仍將精益求精，持續(xù)提供更多的DDR5產(chǎn)品規(guī)格和技術(shù)服務(wù)。
關(guān)鍵詞： DDR5內(nèi)存
