三星作為全球閃存芯片的龍頭企業(yè)，近日宣布計(jì)劃擴(kuò)大其 NAND 閃存芯片的生產(chǎn)。三星計(jì)劃投資韓國(guó)平澤市工業(yè)園區(qū)的2號(hào)生產(chǎn)線以擴(kuò)大產(chǎn)能，應(yīng)對(duì)因新冠疫情而擴(kuò)大的生產(chǎn)電腦與服務(wù)器對(duì)芯片的需求。

據(jù)消息，新工廠在前月已開(kāi)始動(dòng)工，三星表示閃存芯片的需求量會(huì)因 5G、人工智能以及萬(wàn)物互聯(lián)的發(fā)展而迅速增長(zhǎng)，而新工廠 V-NAND 芯片的量產(chǎn)將會(huì)在 2021 年下半年開(kāi)始。分析師表示，三星會(huì)為新工廠投資 7-8 萬(wàn)億韓元(約合人民幣 407-465 億)，建成后，這條生產(chǎn)線會(huì)滿足 NAND 閃存芯片的中期和長(zhǎng)期需求。三星的平澤工業(yè)園區(qū)，已經(jīng)是世界其中兩條最龐大的閃存及內(nèi)存芯片生產(chǎn)線所在地。不過(guò)，隨著需求量的不斷擴(kuò)大，三星仍然會(huì)對(duì)其進(jìn)一步投資。

在過(guò)去18年，三星一直是存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，他們最近還官宣了最新的存儲(chǔ)芯片技術(shù)——業(yè)內(nèi)首次多達(dá)160層的 V-NAND 閃存設(shè)計(jì)。它在擁有更高存儲(chǔ)容量的同時(shí)，芯片密度更高。

三星電子存儲(chǔ)全球營(yíng)銷副總裁 Cheol Choi 表示：“這次投資，再次證明了我們?cè)诖鎯?chǔ)技術(shù)領(lǐng)域所擁有的無(wú)可爭(zhēng)辯的領(lǐng)導(dǎo)地位。即使在不確定的時(shí)刻，我們依然會(huì)繼續(xù)為市場(chǎng)提供最佳的內(nèi)存及閃存解決方案，同時(shí)為整個(gè) IT 行業(yè)和經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)做出貢獻(xiàn)。”

至于后者，三星計(jì)劃將其位于韓國(guó)京畿道華城的 DRAM 生產(chǎn)線的其中一條轉(zhuǎn)產(chǎn)至生產(chǎn)感光元件，由于 DRAM 生產(chǎn)線與感光元件的生產(chǎn)流程有 80% 左右接近，因此用于生產(chǎn) DRAM 的材料以及相關(guān)設(shè)備均可用于生產(chǎn)感光元件。

本次轉(zhuǎn)產(chǎn)在新設(shè)備安裝測(cè)試后，最快將在今年開(kāi)始量產(chǎn)，而三星需要為轉(zhuǎn)產(chǎn)花費(fèi) 1 萬(wàn)億韓元(約合人民幣 58 億)的成本。

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