6月22日消息 根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)官方的消息，由長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)施的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期(土建)于6月20日在武漢東湖高新區(qū)開(kāi)工。

據(jù)介紹，長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)、國(guó)家集成電路基金、湖北省科投集團(tuán)和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè)，計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND閃存芯片工廠。項(xiàng)目一期于2016年底開(kāi)工建設(shè)，進(jìn)展順利，32層、64層存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并成功研制出全球首款128層QLC三維閃存芯片。

在開(kāi)工儀式上，紫光集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)介紹了項(xiàng)目有關(guān)情況。他表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期開(kāi)工建設(shè)以來(lái)，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片工廠，實(shí)現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。

據(jù)曾報(bào)道，4月份，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào)： X2-6070)研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量，擁有1.6Gb/s高速讀寫(xiě)性能和1.33Tb高容量。

關(guān)鍵詞： 國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期