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知名DIY品牌銘瑄官方展示DDR5內(nèi)存產(chǎn)品 DRAM顆粒由鎂光提供

發(fā)布時(shí)間:2021-09-02 17:33:29  |  來(lái)源:驅(qū)動(dòng)之家  

根據(jù)此前的消息,今年年底Intel將會(huì)發(fā)布第十二代酷睿,新一代酷睿不僅使用了具有劃時(shí)代意義的大小核混合架構(gòu),還將全面支持新一代的高速通道PCIe 5.0以及新一代的DDR5內(nèi)存條。

而隨著發(fā)布時(shí)間到來(lái),越來(lái)越多相關(guān)硬件開(kāi)始曝光,國(guó)內(nèi)知名DIY品牌銘瑄就曝光了其DDR5內(nèi)存產(chǎn)品。

銘瑄B站官方賬號(hào)發(fā)布了一條動(dòng)態(tài),從動(dòng)態(tài)可知這是一條頻率為4800MHz的內(nèi)存條,而從產(chǎn)品圖中我們也能清晰地看到內(nèi)存具有PMIC集成式電源管理芯片。

這是DDR5內(nèi)存的明顯特征,可以確定這是一條DDR5內(nèi)存。

除此以外,我們還能看到內(nèi)存使用的是鎂光的DRAM顆粒。

2020年7月JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了DDR5內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn),起跳頻率達(dá)到了4800MHz,最高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣饶苓_(dá)到6.4Gbps,對(duì)比DDR4內(nèi)存直接翻番。

此外,DDR5也改善了DIMM的工作電壓,將電壓從DDR4的1.2V降至1.1V,能夠進(jìn)一步提升內(nèi)存的能效表現(xiàn)。

關(guān)鍵詞: DDR5 內(nèi)存條 銘瑄

 

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