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DDR5首發(fā)+400W功耗!Intel 10nm+++ 56核心太恐怖

發(fā)布時間:2020-10-13 08:40:24  |  來源:快科技  

日前有消息稱,Intel首款采用10nm工藝的至強服務(wù)器平臺“Ice Lake-SP”,發(fā)布時間從原定的今年第四季度推遲到了明年第一季度。

它和已發(fā)布的Cooper Lake都隸屬于第三代可擴展至強,分別面向單路/雙路、四路/八路市場,最多38核心76線程、八通道DDR4-3200內(nèi)存、64條PCIe 4.0,熱設(shè)計功耗最高270W。

再往后,是同樣基于10nm工藝的Sapphire Rapids,官方此前已確認(rèn)它將在2021年晚些時候推出,首批硅片已經(jīng)點亮。

今天,外媒AdoredTV獨家拿到了Sapphire Rapids的詳細參數(shù)。

有意思的是,曝光后很快被Intel查了水表,以“不準(zhǔn)確”為由要求撤掉,但不解釋具體哪里不準(zhǔn)確,AdoredTV因此拒絕撤稿。

Sapphire Rapids將采用最新的10nm+++工藝,也就是剛發(fā)的Tiger Lake 11代移動版酷睿那一套,融入SuperFin晶體管技術(shù)。

CPU架構(gòu)升級為Golden Cove,也就是和Alder Lake 12代桌面酷睿同款,繼續(xù)提升IPC性能,并恢復(fù)支持Bfload16機器學(xué)習(xí)指令,強化AI人工智能。——Cooper Lake已支持該指令,但是接下來的Ice Lake又不支持。

核心數(shù)最多56個(112線程),但是很有可能還隱藏了4個核心,也就是總共應(yīng)該有60核心120線程。

為什么這么做?很簡單,10nm+++工藝面對如此多核心,良品率暫時還上不去。

有趣的是,Sapphire Rapids將采用MCM多芯片封裝設(shè)計,內(nèi)部同時整合最多4個小芯片,每一部分最多14核心(外加一個可能隱藏的),組成總計56核心,但不清楚是否會有AMD霄龍那樣的獨立的I/O Die。

同時封裝集成HBM2e高帶寬內(nèi)存,配合4個小芯片最多4個堆棧,每個最大容量16GB,合計最多64GB,帶寬高達1TB/s。

Sapphire Rapids將會首次支持PCIe 5.0總線,高端型號最多80條通道,其他型號最多64條,同時支持CXL高速互連總線協(xié)議。

另一個首發(fā)支持的是DDR5內(nèi)存,頻率最高4800MHz,繼續(xù)八通道,但最大支持容量暫時不詳,同時繼續(xù)支持傲騰持久內(nèi)存。

DDR5內(nèi)存、HBM2e內(nèi)存可以并行使用,支持緩存、混合多種模式。

熱設(shè)計功耗最高達到驚人的400W,部分型號300W。

相比之下,AMD霄龍的熱設(shè)計功耗最高為280W,Intel二三代可擴展至強普通型號最高250W,雙芯封裝的56核心則同樣是400W,不過現(xiàn)在是14nm。

Sapphire Rapids將在2021年底推出,對手將是AMD再下一代霄龍“熱那亞”(Genoa),Zen 4架構(gòu),同樣支持PCIe 5.0、DDR5,并采用臺積電5nm工藝制造。

而下一代霄龍“米蘭”有望在今年晚些時候或明年初推出,7nm工藝,Zen 3架構(gòu),桌面銳龍5000系列的同門大師兄。

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