11月11日晚間，兆易創(chuàng)新發(fā)布公告，宣布已與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股(集團(tuán))有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“合肥產(chǎn)投”)、睿力集成電路有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“睿力集成”)共同簽署《<可轉(zhuǎn)股債權(quán)投資協(xié)議>的補(bǔ)充協(xié)議》，就兆易創(chuàng)以可轉(zhuǎn)股債權(quán)方式向合肥長(zhǎng)鑫集成電路有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)鑫集成”)提供本金金額為3億元的可轉(zhuǎn)股借款事宜進(jìn)行補(bǔ)充約定。
根據(jù)該補(bǔ)充約定，兆易創(chuàng)新現(xiàn)擬出資3億元人民幣，與長(zhǎng)鑫集成、合肥石溪集電企業(yè)管理合伙企業(yè)(有限合伙)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“石溪集電”)、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司(以 下簡(jiǎn)稱(chēng)“大基金二期”)、安徽省三重一創(chuàng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“三重一創(chuàng)”)等多名投資人簽署《關(guān)于睿力集成電路有限公司之增資協(xié)議》(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“增 資協(xié)議”)、《關(guān)于睿力集成電路有限公司之股東協(xié)議》(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“股東協(xié)議”)，共同參與睿力集成增資事項(xiàng)，以完成《可轉(zhuǎn)股債權(quán)投資協(xié)議》中約定的轉(zhuǎn)股投資事項(xiàng)。
增資之前，睿力集成的注冊(cè)資本總額為189億元，其實(shí)繳注冊(cè)資本為189億元。其中，石溪集電出資130.44億元，持股比例為69.01%;長(zhǎng)鑫集成出資58.56億元，持股比例為30.99%。
此次增資完成后，兆易創(chuàng)新將持有睿力集成約 0.85%股權(quán)。根據(jù)兆易創(chuàng)新公告曝光的其他機(jī)構(gòu)對(duì)于睿力集成的增資情況顯示，而除了兆易創(chuàng)新之外，大基金二期和安徽三重一創(chuàng)基金分別出資47.6億元，參與睿力集成此次的增資，持股比例均為14.08%。
另外，長(zhǎng)鑫集成也增資了8.08億元，持股比例為19.72%;合肥集鑫企業(yè)管理合伙企業(yè)(有限合伙)出資約4.76億元，持股比例為1.41%;其他“跟進(jìn)投資人”出資約38.08億元，持股比例為11.27%。
總的來(lái)看，僅本輪增資，睿力集成一共完成了約148.99億元的增資，增資完成后，睿力集成獲得的股東的總出資額已累計(jì)到達(dá)337.99億元!
據(jù)了解，睿力集成主要從事集成電路及相關(guān)產(chǎn)品的生產(chǎn)、研發(fā)、設(shè)計(jì)、銷(xiāo)售等業(yè)務(wù)。國(guó)產(chǎn)DRAM廠商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)”)為睿力集成旗下僅有的一家全資子公司。
目前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也是國(guó)內(nèi)唯一量產(chǎn)的國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存廠商。顯然，此次大基金二期及兆易創(chuàng)新等投資人近150億元增資睿力集成，將進(jìn)一步加速?lài)?guó)產(chǎn)DRAM的發(fā)展。
值得一提的是，目前，兆易創(chuàng)新董事長(zhǎng)朱一明同時(shí)也是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的董事長(zhǎng)。同時(shí)，朱一明先生控制合肥石溪長(zhǎng)鑫企業(yè)管理合伙企業(yè)(有限合伙)(即石溪集電的執(zhí)行事務(wù)合伙人，以下簡(jiǎn) 稱(chēng)“石溪長(zhǎng)鑫”)。在本次增資前，石溪集電持股標(biāo)的公司睿力集成 69.01%。
根據(jù)公告顯示，本公告日前 12 個(gè)月內(nèi)，兆易創(chuàng)新從長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)采購(gòu)的 DRAM 產(chǎn)品價(jià)值約 17,955.58 萬(wàn)元，雙方產(chǎn)品聯(lián)合開(kāi)發(fā)平臺(tái)合作產(chǎn)品價(jià)值約 1,966.68 萬(wàn)元。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)明年四季度將超南亞科技，17nm內(nèi)存明年問(wèn)世
根據(jù)TrendForce公布的2020年二季度全球DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，三星、SK海力士、美光這前三家DRAM大廠占據(jù)了全球市場(chǎng)94.6%的份額。排名第四的則是南亞科技，市場(chǎng)份額僅3.2%，其他的廠商份額均不到1%。
顯然，在DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)，頭部的三家大廠已經(jīng)形成了強(qiáng)勢(shì)的壟斷地位，留給其他廠商的空間非常小。不過(guò)，在國(guó)產(chǎn)DRAM芯片廠商的努力之下，依托于國(guó)內(nèi)龐大的市場(chǎng)需求，國(guó)產(chǎn)DRAM芯片的市場(chǎng)份額也在快速提升。
在11月12日由集邦咨詢(TrendForce)主辦的MTS2021存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上，TrendForce公布了2020-2021年全球內(nèi)存廠商晶圓投片量的預(yù)估數(shù)據(jù)。
根據(jù)該數(shù)據(jù)顯示，自去年四季度長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DRAM芯片成功量產(chǎn)之后，其晶圓的投片量持續(xù)增長(zhǎng)，今年一季度投片量雖然只有1萬(wàn)片/月，但是隨著長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DRAM產(chǎn)品在客戶端的進(jìn)一步拓展，其產(chǎn)能也在持續(xù)擴(kuò)張，到今年四季度其投片量已經(jīng)快速提升到了4.5萬(wàn)片/月。
而根據(jù)TrendForce的預(yù)測(cè)，到2021年四季度，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的投片量將達(dá)到8.5萬(wàn)片/月，屆時(shí)將成功超越目前排名第四的南亞科技(7.1萬(wàn)片/月)，成為僅次于三星、SK海力士、美光的全球第四大DRAM芯片廠商。
當(dāng)然，所謂的第四名，實(shí)際上并沒(méi)有太大的意義，因?yàn)榕c前三名的投片量相比差距巨大。即使第三名的美光，其明年四季度的投片量也高達(dá)35.5萬(wàn)片/月，是預(yù)測(cè)中的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的8.5萬(wàn)片/月的投片量的約4.18倍。
這樣巨大的差距也并不是短期內(nèi)能夠追上的，此外在DRAM技術(shù)上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與前三廠商也存在著較大的差距。
資料顯示，目前長(zhǎng)鑫量產(chǎn)的主要是19nm工藝的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片，獲得了威剛科技、江波龍F(tuán)ORESEE等存儲(chǔ)品牌廠商的采用。
不過(guò)，在DRAM技術(shù)上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)相比三星等一線DRAM廠商的技術(shù)要落后2-3年時(shí)間，所以快速提升技術(shù)水平也是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在DRAM市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟的關(guān)鍵。
根據(jù)今年7月初，安徽省發(fā)布的《重點(diǎn)領(lǐng)域補(bǔ)短板產(chǎn)品和關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)任務(wù)揭榜工作方案》文件顯示，希望2-3年內(nèi)解決一些關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，其中在內(nèi)存技術(shù)方面，要求推進(jìn)低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，要面向中高端移動(dòng)、平板及消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品DRAM存儲(chǔ)芯片自主可控需求，研發(fā)先進(jìn)低功耗高速率LPDDR5 產(chǎn)品并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，依托DRAM 17nm及以下工藝，攻關(guān)高速接口技術(shù)、Bank Group架構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)、低功耗電源(電壓)技術(shù)、片內(nèi)糾錯(cuò)編碼(On-Die ECC)技術(shù)，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。
而目前國(guó)內(nèi)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的DRAM內(nèi)存芯片的國(guó)產(chǎn)廠商只有長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)，而且長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也正是位于安徽省會(huì)合肥的企業(yè)，顯然，這份文件上所提出的內(nèi)存技術(shù)攻關(guān)要求，也正是針對(duì)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)提出的。
另外根據(jù)此前的規(guī)劃也顯示，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將在2021年完成17nm DRAM的技術(shù)研發(fā)。
之前曝光的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的路線圖也顯示，接下來(lái)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將會(huì)推出基于10G3工藝的DDR4/LPDDR4x和DDR5/LPDDR5，還將推出基于10G5工藝的DDR5/LPDDR5以及GDDR6。這里的10G3工藝應(yīng)該指的就是17nm工藝。
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