8月14日消息 今年 4 月 13 日，長江存儲宣布已成功研發(fā) 128 層 QLC 3D 閃存(X2-6070)。長江存儲在今天召開的中國電子信息博覽會上首次公開展示了 128 層 QLC 3D NAND 閃存芯片。

第八屆中國電子信息博覽會(CITE2020)于 2020 年 8 月 14 日至 8 月 16 日期間在深圳會展中心正式舉辦。此次參戰(zhàn)企業(yè)包括紫光集團、、華為、維信諾、紫晶存儲、柔宇科技、TCL、創(chuàng)維等多家科技企業(yè)。

在 CITE2020 上，紫光集團帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長江存儲的 128 層 QLC 三維閃存和新華三半導體高端路由器芯片 EasyCore 等。作為業(yè)內首款 128 層 QLC 規(guī)格的 3D NAND 閃存，長江存儲 X2-6070 擁有業(yè)內已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高 I/O 傳輸速度和最高單顆 NAND 閃存芯片容量。

長江存儲還展示了 64 層堆棧的閃存，其中 64 層 TLC 閃存是國內首個自研量產(chǎn)的 64 層閃存，基于 Xtacking 堆疊架構，其擁有同類產(chǎn)品中最大的單位面積的存儲密度。而 128 層 QLC 產(chǎn)品是目前行業(yè)內首款單顆 Die 容量 1.33Tb 的 NAND 閃存。兩款產(chǎn)品目前均已獲得主流控制器廠商驗證。預計將在今年底至明年初量產(chǎn)。

據(jù)了解到，目前長江存儲的量產(chǎn)主力就是 64 層 TLC 閃存，該系列產(chǎn)品已隨光威等廠商的推出。

此外，作為長江存儲主要競爭對手之一的英特爾目前的 QLC 閃存堆棧技術已達到了 144 層，預計年底或明年年初量產(chǎn);三星 V-NAND 閃存目前已達到 136 層堆疊，據(jù)此前消息稱，三星方面正在研發(fā)新一代的 160 層的第七代 3D 閃存堆疊技術。

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