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云南大學(xué)成功突破硫化鉑材料瓶頸:性能超越第三代半導(dǎo)體

發(fā)布時(shí)間:2021-07-06 09:30:46  |  來源:IT之家  

7 月 6 日消息 據(jù)科技日報(bào)報(bào)道,6 月 20 日云南大學(xué)材料與能源學(xué)院透露:該學(xué)院的楊鵬、萬艷芬團(tuán)隊(duì),突破了硫化鉑材料瓶頸,解決了類石墨烯材料大面積均勻少層硫化鉑的合成及其結(jié)構(gòu)和物理性能的一系列問題。

云南大學(xué)副教授楊鵬介紹,石墨烯(碳基第三代半導(dǎo)體材料)作為典型的二維納米材料,具備化學(xué)、光、電、機(jī)械等一系列優(yōu)良的特性而得到廣泛應(yīng)用,但石墨烯存在零帶隙、光吸收率低等缺點(diǎn),限制其更廣泛地應(yīng)用。與此同時(shí),類石墨烯材料應(yīng)運(yùn)而生。作為類石墨烯材料的典型代表,過渡金屬硫族化合物不僅具備類似石墨烯的范德華力結(jié)合的層狀結(jié)構(gòu),還擁有優(yōu)異的光、電、磁等性能,可更好地彌補(bǔ)石墨烯的缺點(diǎn),大大拓寬了半導(dǎo)體材料的實(shí)際應(yīng)用范圍。

當(dāng)今二維材料共同面對的比如材料面積不大、不易轉(zhuǎn)移等問題對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展形成了一定的影響。針對這些難題,云南大學(xué)材料與能源學(xué)院、云南省微納材料與技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室楊鵬、萬艷芬團(tuán)隊(duì)通過物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積相結(jié)合的方式,在合適的溫度、壓強(qiáng)等條件下,實(shí)現(xiàn)制備平方厘米級大面積少層、均勻的硫化鉑材料,并表征了相關(guān)物理特性,為硫化鉑在日后的投產(chǎn)、商用提供了便利。

值得一提的是,與臺積電在 1 納米測試中試用的半金屬鉍元素相比,硫化鉑的成本更低、產(chǎn)出效率更高、實(shí)際性能更優(yōu),這讓硫化鉑成為用于延續(xù)摩爾定律的最佳候選材料之一。

據(jù)悉,這一研究成果為大面積電子器件的發(fā)展提供了新的思路與技術(shù)基礎(chǔ),并為未來拓展過渡金屬硫族化合物的應(yīng)用范圍提供了重要參考。IT之家了解到,相關(guān)研究成果發(fā)表在國際著名材料學(xué)術(shù)刊物《現(xiàn)代材料物理學(xué)》上。

云南大學(xué)成功破冰硫化鉑半導(dǎo)體材料,為國產(chǎn)集成電路、光電子等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開辟更寬廣的應(yīng)用器件開發(fā)提供了支持,有望成為我國在芯片代工領(lǐng)域中持平國外半導(dǎo)體技術(shù)的關(guān)鍵材料。

關(guān)鍵詞: 硫化鉑 半導(dǎo)體

 

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