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DDR內(nèi)存2021年價格有望迎來反彈:最多上漲30%

發(fā)布時間:2020-12-31 16:43:44  |  來源:快科技  

2020年內(nèi)存價格總體還是在下跌,DDR4內(nèi)存也到了尾聲階段,明年服務(wù)器市場就會率先引入DDR5內(nèi)存,新時代要開始了。然而明年的價格走勢不一樣了,內(nèi)存廠商現(xiàn)在篤定明年價格反彈,甚至大漲30%。

對于2021年的內(nèi)存市場,此前三星等大廠給出的預(yù)期是明年Q1季度繼續(xù)跌,Q2季度持平,下半年才會開始反彈。

不過這段時間內(nèi)存市場變數(shù)頗多,三星、SK海力士、美光三大廠商繼續(xù)削減2021年的內(nèi)存投資,供應(yīng)量會比預(yù)期減少,再加上DDR3等低端內(nèi)存產(chǎn)能逐漸退出,還有美光工廠本月初意外的跳電,內(nèi)存漲價的走勢提前了。

除了美光這樣的內(nèi)存芯片巨頭之外,華邦電、威剛等內(nèi)存行業(yè)的廠商也對2021年的走勢表示了樂觀看法,認為明年Q1季度提前見底。

至于價格漲幅,內(nèi)存行業(yè)廠商預(yù)計2021年至少上漲25%-30%,相比今年要大幅反彈了。

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