據(jù)彭博社爆料稱，中國(guó)政府高層正在推動(dòng)一項(xiàng)旨在幫助中國(guó)芯片制造商克服美國(guó)制裁的關(guān)鍵舉措，從而重新推動(dòng)中國(guó)多年來實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片自給自足的努力。
第三代半導(dǎo)體成為“突圍”的關(guān)鍵
據(jù)知情人士透露，劉鶴將是該項(xiàng)“芯片對(duì)抗”計(jì)劃的主要負(fù)責(zé)人，該計(jì)劃包括了龐大的投資組合，涵蓋貿(mào)易、金融和技術(shù)。目前已被率先用于推動(dòng)發(fā)展第三代半導(dǎo)體芯片，并正在領(lǐng)導(dǎo)制定一系列對(duì)該技術(shù)的金融和政策支持。
資料顯示，與以Si、Ge為代表的第一代半導(dǎo)體和以GaAs、InP為代表的第二代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。
GaN和SiC則是第三代半導(dǎo)體材料的代表，他們都具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小和抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)，具有強(qiáng)大的功率處理能力、較高的開關(guān)頻率、更高的電壓驅(qū)動(dòng)能力、更小的尺 寸、更高的效率和更高速的散熱能力，可滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫高頻、 高功率、高輻射等惡劣環(huán)境條件的要求，先天性能優(yōu)越。
第三代半導(dǎo)體下游應(yīng)用領(lǐng)域廣闊，據(jù)CASA Research數(shù)據(jù)，消費(fèi)類電源、工業(yè)及商業(yè)電源、不間斷電源UPS和新能源汽車為SiC、GaN電子電力器件的前四大應(yīng)用領(lǐng)域，分別占比28%、26%、13%和11%。另外在通訊領(lǐng)域，基于第三代半導(dǎo)體的射頻器件也有著極為重要的地位。
隨著下游終端需求不斷增長(zhǎng)，第三代半導(dǎo)體的需求亦有望持續(xù)釋放。同時(shí)疊加國(guó)家政策對(duì)第三代半導(dǎo)體發(fā)展的大力支持，行業(yè)潛在市場(chǎng)空間巨大，據(jù)《2020“新基建”風(fēng)口下第三代半導(dǎo)體應(yīng)用發(fā)展與投資價(jià)值白皮書》指出，2019年我國(guó)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為94.15億元，預(yù)計(jì)2019-2022年將保持85%以上平均增長(zhǎng)速度，到2022年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到623.42億元。
更為關(guān)鍵的是，目前第三代半導(dǎo)體是一個(gè)新興領(lǐng)域，它依賴于傳統(tǒng)硅以外的更新的材料和設(shè)備，目前是一個(gè)沒有任何公司或國(guó)家占據(jù)主導(dǎo)地位的領(lǐng)域，這也為中國(guó)提供了避開美國(guó)及其盟友對(duì)其芯片制造行業(yè)設(shè)置的障礙的最佳機(jī)會(huì)之一。
此前，美國(guó)上任總體特朗普在任期內(nèi)，持續(xù)通過實(shí)體清單打壓中國(guó)科技企業(yè)，比如多次升級(jí)對(duì)于華為的制裁，已經(jīng)限制了華為旗下海思半導(dǎo)體從晶圓代工廠獲得先進(jìn)制程芯片。在拜登政府上臺(tái)之后，也延續(xù)了特朗普政策，大力發(fā)展美國(guó)半導(dǎo)體制造，同時(shí)進(jìn)一步聯(lián)合其盟友意圖組建排華半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。美國(guó)的持續(xù)打壓嚴(yán)重阻礙了中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，以及中國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全。
中國(guó)目前是全球最大的芯片消耗國(guó)，半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全對(duì)于中國(guó)來說極為重要。
此次，劉鶴直接負(fù)責(zé)中國(guó)的芯片工作，突顯了中國(guó)政府對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重視程度，隨著美國(guó)、日本、韓國(guó)以及歐盟等都開始爭(zhēng)相加盟支持本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，這對(duì)于中國(guó)來說也變得越來越緊迫。
根據(jù)一份政府聲明顯示，今年5月，劉鶴牽頭召開了技術(shù)工作組會(huì)議，討論了發(fā)展第三代半導(dǎo)體技術(shù)的方法。
這位 69 歲的副總理自 2018 年以來一直領(lǐng)導(dǎo)中國(guó)的技術(shù)改革工作組，他也在監(jiān)督可能推動(dòng)傳統(tǒng)芯片制造突破的項(xiàng)目，包括開發(fā)中國(guó)自己的芯片設(shè)計(jì)軟件和極紫外光刻機(jī)。
投資規(guī)模達(dá)1萬億美元?
據(jù)彭博社援引知情人士的話報(bào)道稱，劉鶴領(lǐng)導(dǎo)的這項(xiàng)“芯片對(duì)抗”計(jì)劃，已預(yù)留了約1萬億美元的政府資金，其中一部分將由中央和地方政府共同投資于一系列第三代芯片項(xiàng)目。
頂級(jí)芯片制造商和研究機(jī)構(gòu)向科技部和工業(yè)信息化部提交了提案，都在爭(zhēng)奪國(guó)家計(jì)劃和融資份額。根據(jù)一份政府文件，科技部計(jì)劃向包括第三代芯片在內(nèi)的一些關(guān)鍵“戰(zhàn)略電子材料”注資4億元人民幣(6200 萬美元)。
甚至登月芯片計(jì)劃也需要政府資助。國(guó)家支持的中國(guó)國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)已承諾為數(shù)十項(xiàng)探索性研究項(xiàng)目提供資金支持，從超低功耗到開發(fā)可以收集和傳輸神經(jīng)信號(hào)的柔性芯片。
其中一位知情人士說，已經(jīng)受到美國(guó)制裁的中國(guó)電子科技集團(tuán)公司和中國(guó)鐵建的幾家子公司是支持這項(xiàng)努力的國(guó)家支持公司之一。另一家與政府有關(guān)聯(lián)的巨頭中國(guó)電子集團(tuán)公司是第三代半導(dǎo)體芯片開發(fā)的領(lǐng)導(dǎo)者之一，這得益于其對(duì)包括 CEC Semiconductor Co. 在內(nèi)的小型公司的投資。CEC Semiconductor 利用自己的內(nèi)部技術(shù)生產(chǎn)基于碳化硅的可在 200 攝氏度下工作的功率器件，適用于從電信到電動(dòng)汽車的多個(gè)關(guān)鍵行業(yè)——減少中國(guó)對(duì)英飛凌、羅姆和科銳等海外供應(yīng)商的依賴。
協(xié)調(diào)這個(gè)龐大的芯片計(jì)劃的任務(wù)現(xiàn)在落在了劉鶴身上，他必須跟蹤相關(guān)資源并推動(dòng)國(guó)家戰(zhàn)略，幫助中國(guó)實(shí)現(xiàn)芯片獨(dú)立。
在今年5月底的一場(chǎng)會(huì)議上，劉鶴表示，“對(duì)我們國(guó)家來說，技術(shù)和創(chuàng)新不僅僅是增長(zhǎng)的問題，這也是一個(gè)生存問題。”
半導(dǎo)體股掀起漲停潮
受今天中午彭博社發(fā)布的這篇關(guān)于中國(guó)“芯片對(duì)抗”計(jì)劃的報(bào)道影響，今天下午A股開盤后，整個(gè)半導(dǎo)體及元件板塊便開始大幅上漲。
截至收盤，整個(gè)半導(dǎo)體及元件板塊大幅上漲6.48%。全志科技、芯?？萍?、兆易創(chuàng)新等十多家半導(dǎo)體芯片企業(yè)成功漲停。
特別是第三代半導(dǎo)體板塊漲幅更是高達(dá)8.44%。比如聚燦光電上漲20.01%、臺(tái)基股份上漲19.99%、華潤(rùn)微上漲19.13%、三安光電上漲10%、士蘭微上漲10%、露笑科技上漲10%。
另外，半導(dǎo)體設(shè)備及材料相關(guān)標(biāo)的股價(jià)也大幅上漲。比如半導(dǎo)體廠商北方華創(chuàng)上漲10%、中微半導(dǎo)體上漲16.47%;半導(dǎo)體材料廠商南大光電上漲13.98%、上海新陽上漲13.24%、安集科技上漲11.49%、滬硅產(chǎn)業(yè)上漲9.6%、晶瑞股份上漲9.32%、江豐電子上漲6.39%。
